技術(shù)編號(hào)：7150901
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及離子注入設(shè)備的。背景技術(shù)離子注入是一種在半導(dǎo)體技術(shù)中將雜質(zhì)材料選擇性的注入到半導(dǎo)體材料中的技術(shù)。雜質(zhì)材料在電離腔中被離子化，將這些離子加速以形成具有設(shè)定能量的離子束，離子束轟擊晶圓表面，并進(jìn)入晶圓中與能量相關(guān)的深度處。離子注入機(jī)通常將氣體或固體的雜質(zhì)材料在電離腔中轉(zhuǎn)化為離子束，該離子束可被進(jìn)行質(zhì)量分析以消除不想要的離子種類，并加速至預(yù)期的能量，并導(dǎo)引至晶圓表面。所述離子束可為點(diǎn)狀束(spot beam)或帶狀束(ribbo...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。