技術編號：7149700
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及結(jié)晶性好的III族氮化物半導體(III族氮化物半導體由InGaAlN表示)晶體及其制造方法，III族氮化物半導體晶體用于制造發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、電子器件等，以及涉及III族氮化物半導體外延晶片，其具有在III族氮化物半導體晶體上形成的III族氮化物半導體晶體層。具體地說，本發(fā)明涉及制造III族氮化物半導體晶體的方法，該方法可以適用于在藍寶石襯底上外延生長結(jié)晶性好的III族氮化物半導體晶體。背景技術 III族氮化物半導體具有對...
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