技術(shù)編號：7149628
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種低成本、高性能、易加工的新型絕緣娃復(fù)合材料及其制備方法。背景技術(shù)單晶硅材料是現(xiàn)代微電子制造業(yè)的基礎(chǔ)，目前絕大部分的集成電路芯片和半導(dǎo)體器件都是在硅片上加工完成。然而隨著IC制造技術(shù)向45納米以下線寬發(fā)展，現(xiàn)有的體硅材料及其工藝越來越接近其物理極限，尋找新型襯底材料已成為當(dāng)務(wù)之急。SOI (Silicon On Insulater)絕緣娃材料因其獨特優(yōu)良的性能近期得到了廣泛的重視和應(yīng)用。通過絕緣埋層，SOI絕緣硅材料實現(xiàn)了片上器件與襯底的全介質(zhì)...
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