技術(shù)編號(hào)：7148184
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法以及畫素結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的圖案化制程一般以微影蝕刻制程來進(jìn)行。微影蝕刻制程是于導(dǎo)體層上覆蓋光阻材料，再以具有特定圖案的罩幕進(jìn)行曝光程序。接著，進(jìn)行顯影程序移除部分的光阻材料后，完成圖案化光阻層。然后，再以圖案化光阻層為罩幕對(duì)導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻程序，并完成具有特定圖案的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在微影蝕刻制程中，導(dǎo)體的線寬以及導(dǎo)體間距通常是取決于曝光機(jī)的曝光解析度。以畫素結(jié)構(gòu)中的薄膜電晶體而言，汲極與源極的圖案可由微影蝕刻制程...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。