技術(shù)編號：7147974
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)朝著更小、速度更快的器件發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征橫向尺寸如柵長和深度如源/漏區(qū)結(jié)深逐漸減小，器件的工作速度也越來越快。為了抑制短溝道效應(yīng)，要求源/漏以及源/漏極擴展區(qū)相應(yīng)地變淺，當(dāng)前工藝水平要求半導(dǎo)體器件的源/漏極結(jié)的深度小于30納米，未來技術(shù)節(jié)點器件的超淺結(jié)的深度會小于15納米。在半導(dǎo)體器件的后道(Back-end of Line，簡稱“BE0L”)制程中，需要通過在通孔(Via)中填充金屬如鎢等把源極...
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