技術(shù)編號(hào)：7147747
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)雙極晶體管是由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成，是具有電流放大作用的晶體三極管，主要包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)和收集區(qū)。常規(guī)結(jié)構(gòu)中，集電區(qū)與外基區(qū)直接相連，導(dǎo)致器件的基區(qū)-集電區(qū)結(jié)寄生電容過(guò)大，影響相關(guān)性能。 發(fā)明內(nèi)容為了克服上述的缺陷，本發(fā)明提供一種能有效減小基區(qū)-集電區(qū)結(jié)寄生電容的。為達(dá)到上述目的，一方面，本發(fā)明提供一種雙極晶體管，所述晶體管包括集電區(qū)，設(shè)置在所述集電區(qū)上的本征基區(qū)和隔離氧化層，設(shè)置在所述隔離氧化層上的外基區(qū)，設(shè)置在所述本征基區(qū)上的發(fā)...
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