技術(shù)編號(hào):7147687
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)雙極晶體管是由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成,是具有電流放大作用的晶體三極管,主要包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)和收集區(qū)。常規(guī)結(jié)構(gòu)雙極晶體管的收集區(qū)面積大,導(dǎo)致器件的收集區(qū)寄生電容大,影響器件的性能。同時(shí),收集區(qū)面積大也會(huì)增大輻照對(duì)于器件的影響,進(jìn)一步損害器件的性能發(fā)明內(nèi)容 為了克服上述的缺陷,本發(fā)明提供一種收集區(qū)面積更小的。為達(dá)到上述目的,一方面,本發(fā)明提供一種帶有隔離氧化層的側(cè)向雙極晶體管,所述晶體管包括第一導(dǎo)電類(lèi)型的發(fā)射區(qū),位于所述發(fā)射區(qū)側(cè)面的本征基...
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