技術(shù)編號(hào)：7147164
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及一種半導(dǎo)體器件，特別是涉及一種應(yīng)用于射頻領(lǐng)域的LDMOS器件。背景技術(shù)射頻LDMOS (橫向擴(kuò)散MOS晶體管)器件是應(yīng)用于射頻基站和廣播站的常用器件，其追求的性能指標(biāo)包括高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻和低寄生電容等。請參閱圖li，這是一種現(xiàn)有的射頻LDMOS器件。以n型射頻LDMOS器件為例，在p型重?fù)诫s襯底I上具有P型輕摻雜外延層2。在外延層2中具有依次側(cè)面接觸的n型重?fù)诫s源區(qū)8、p型溝道摻雜區(qū)7和n型漂移區(qū)3。在漂移區(qū)3中具有n型重?fù)诫s漏區(qū)9。在溝道...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。