技術(shù)編號：7146722
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種在半導體(如硅晶片)用基底材料的表面上形成高質(zhì)量均勻薄膜(如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4等))的化學氣相沉積(CVD)設(shè)備。更具體地說，本發(fā)明涉及一種CVD設(shè)備，所述設(shè)備能夠在成膜過程之后進行清洗以除去粘附在反應(yīng)室內(nèi)壁等上的副產(chǎn)物，以及使用CVD設(shè)備清洗CVD設(shè)備的方法。背景技術(shù) 通常，薄膜如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4等)廣泛用于半導體元件中如薄膜晶體管、光電轉(zhuǎn)換元件等。現(xiàn)在主要使用下述三種形成薄膜如二氧化硅、氮化硅...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。