技術編號：7146376
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請屬于太陽能電池領域,特別是涉及一種GaAs/GalnP雙結太陽能電池及其制作方法。背景技術太陽能高效發(fā)電技術作為一種支撐我國國民經濟可持續(xù)發(fā)展的新能源技術在最近頒布的國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃中已被列為重點支持和優(yōu)先發(fā)展的方向。相比于硅太陽電池，多結II1-V化合物半導體太陽電池以多種帶隙寬度不同的半導體材料吸收與其帶隙寬度相匹配的那部分太陽光，從而實現(xiàn)對太陽光的寬光譜吸收，目前雙結電池的效率以極高超過了 30%，三結太陽電池效率已經超過了 40%...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。