技術(shù)編號：7145667
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及涉及晶體硅太陽能電池制備領(lǐng)域，具體涉及一種。背景技術(shù)傳統(tǒng)晶體硅太陽能電池的制備流程為硅片制絨；擴(kuò)散制作PN結(jié)；周邊刻蝕；去除磷硅玻璃；用鍍膜設(shè)備進(jìn)行正面氮化硅膜的沉積；絲網(wǎng)印刷電池的背面電極、背面電場和正面電極；共燒結(jié)，完成整個電池的制備過程。所述的鍍膜設(shè)備是采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)的。晶體硅太陽能電池的發(fā)展方向是低成本、高效率。在提高效率方面，目前比較有效的做法是將太陽能電池的背面鍍上鈍化效果好的薄膜，如二氧化硅薄膜、氮化硅...
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