技術(shù)編號(hào)：7144503
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電，特別是指一種氮化物L(fēng)ED外延片的生產(chǎn)。背景技術(shù)氮化物L(fēng)ED作為固態(tài)光源具有高效、長壽命、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，被譽(yù)為繼愛迪生發(fā)明電燈后人類照明歷史上的第二次革命，成為國際上半導(dǎo)體和照明領(lǐng)域研發(fā)和產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。但獲得高亮度GaN基LED，在技術(shù)上還面臨諸多難題。其中一個(gè)主要問題是InGaN/GaN多量子阱中晶格失配引起的應(yīng)力場(chǎng)造成輻射復(fù)合效率降低。InGaN/GaN多量子阱MQWs中晶格失配引起的應(yīng)力場(chǎng)使得MQWs中能帶發(fā)生傾 斜，造成電子和空...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。