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一種提高中子嬗變摻雜或去應(yīng)力硅單晶退火后少子壽命的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:7143136

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,尤其是涉及。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)的退火工藝,主要工藝條件為退火過程中石英管通入氮氣加鹽酸的氣體,目的是為了去除爐管內(nèi)及單晶表面金屬離子,提高退火壽命,此方法對于提高單晶少子壽命有一定效果,但也存在不足退火過程對環(huán)境的要求較高,長期通入HCL氣體造成設(shè)備及廠房多處嚴重腐蝕,給設(shè)備維護保養(yǎng)造成很大困難,同時爐管附件的鐵銹等會在開爐時進入爐管造成二次沾污,單晶少子壽命又會受影響;另外,長期處于鹽酸氣氛環(huán)境中,對于操作人員的健康也有極大損害。...
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