技術(shù)編號：7143076
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體照明領(lǐng)域，涉及一種具有復(fù)合勢壘的氮化鎵基LED。背景技術(shù)GaN基LED已經(jīng)進入市場并取得很大進展，但是芯片出光效率低下問題仍未得到很好解決。原因在于=II1-V族氮化物發(fā)光元件中存在著極化效應(yīng)，包括自發(fā)極化和壓電極化。自發(fā)極化是纖鋅礦結(jié)構(gòu)在[ 0001]方向的不對稱引起的，而壓電極化產(chǎn)生的原因是在異質(zhì)結(jié)界面處，由于不同材料之間彼此晶格不匹配產(chǎn)生應(yīng)力，使得陰離子和陽離子的排列發(fā)生移動，產(chǎn)生出極化電荷的壓電效應(yīng)所致。由于極化效應(yīng)所引起的內(nèi)建極化...
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