技術(shù)編號：7142636
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造工藝，具體涉及柵電極刻蝕時橫向凹槽的消除方法。背景技術(shù)柵電極刻蝕工藝通常是主要是由以下三步組成，第一步抗反射層的刻蝕(ARC OPEN)，這一步是用來打開光刻抗反射層的，柵電極的尺寸(CD)主要由這一步?jīng)Q定；第二步主刻蝕(Main Etch)，用來形成柵電極的主體形狀，在這一步大部分硅被快速刻盡形成柵線條，這一步主要影響柵電極的主體垂直度；第三步過刻蝕(Over Etch)，這一步用來去除主刻蝕步驟中沒有刻盡的硅殘留，相對于主刻蝕步驟而...
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