技術編號：7142635
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于集成電路制造工藝中的光刻曝光技術，具體涉及一種一次掃描兩個普通曝光區(qū)域的新的曝光方法。背景技術 隨著集成電路的不斷發(fā)展，晶體管的最小線寬不斷縮小，先進CMOS工藝中晶體管柵極的長度已經(jīng)接近0.1微米。特征線寬的不斷縮小導致了芯片集成度的大幅度提高，但是細小的線條給光學光刻工藝帶來了巨大的挑戰(zhàn)。為了不斷適應線寬的縮小和集成度的提高，光學光刻技術不斷進步從接觸式曝光發(fā)展到接近式曝光，再到縮小投影曝光；曝光光源波長從I線的430nm到G線的365nm，...
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