技術(shù)編號：7138320
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種用于實現(xiàn)高選擇率的磁阻存儲器及其制造方法。背景技術(shù) 圖1是一傳統(tǒng)磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)陣列的視圖。參見圖1，該傳統(tǒng)MRAM利用產(chǎn)生于施加了電流的數(shù)位驅(qū)動線1和位線3上的磁場通過反轉(zhuǎn)位于數(shù)位驅(qū)動線1和位線3之間的存儲單元5的磁化方向而存儲信息。不過，因施加到數(shù)位驅(qū)動線1和位線3上的電流而產(chǎn)生的磁場會影響位于存儲單元5周圍的存儲單元7和9，該存儲單元5位于數(shù)位驅(qū)動線1和位線3相交的位置上。特別是，在一個逐漸變得緊湊且具有高存...
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