技術(shù)編號：7137941
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造工藝，具體涉及一種外延標(biāo)記。背景技術(shù)集成電路制造中外延工藝是在具有一定晶向的襯底上，在一定的條件下采用化學(xué)氣相沉積(CVD)等生長方法，沿著襯底原來的結(jié)晶軸方向，生長出導(dǎo)電類型、電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)、完整性等參數(shù)都符合產(chǎn)品結(jié)構(gòu)要求的新單晶體層的過程，這層單晶層叫做外延層。其中導(dǎo)電類型、電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)、完整性等參數(shù)不依賴于硅片襯底中的摻雜類別和程度，設(shè)計(jì)者可綜合各分立器件的特性選擇合適的外延層條件。在上述外延淀積工藝中，根據(jù)...
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