技術(shù)編號：7130978
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬集成電路制造工藝，具體涉及一種半導體器件含氮柵氧化硅層結(jié)構(gòu)及其制造工藝。背景技術(shù) 柵氧化硅層的制備工藝是集成電路制造工藝中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，直接影響和決定了器件的電學特性和可靠性，特別是在深亞微米集成電路制造工藝中，由于柵氧化硅層變得越來越薄，接近甚至工作在其物理極限值，因此將面對許多挑戰(zhàn)，其中主要有以下兩方面(1)薄柵氧化硅的電擊穿可靠性和漏電流、直接隧道電流問題；(2)來自P+多晶的硼穿透(Bpenetration)問題。經(jīng)研究，在常規(guī)柵氧化硅中...
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