技術(shù)編號(hào)：7129627
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型屬于基本電氣元件領(lǐng)域，涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及一種實(shí)現(xiàn)局域壽命控制的IGBT。背景技術(shù)IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種由BJT (雙極型三極管)和MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合型電壓控制的功率半導(dǎo)體器件，這種器件同時(shí)具有功率BJT和功率MOSFET的主要優(yōu)點(diǎn) 輸入阻抗高，輸入驅(qū)動(dòng)功率小，導(dǎo)通電阻小，電流容量大，開關(guān)速度快等。在這個(gè)高壓高頻電力電子器件時(shí)代，IG...
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