技術(shù)編號(hào)：7124182
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及從硅有機(jī)前體和臭氧形成氧化硅和/或氧氮化硅的低溫化學(xué)氣相沉積(CVD)和低溫原子層沉積(ALD)方法。背景技術(shù) CVD是已知的沉積方法。在CVD中，將兩種或多種反應(yīng)物氣體在沉積室中混合在一起，其中氣體在氣相中反應(yīng)且沉積成膜到襯底表面上或在襯底的表面上直接反應(yīng)。根據(jù)沉積膜的所需厚度，通過CVD的沉積發(fā)生規(guī)定長(zhǎng)度的時(shí)間。由于規(guī)定的時(shí)間是進(jìn)入室的反應(yīng)物通量的函數(shù)，所需時(shí)間可一個(gè)室不同于另一個(gè)室。ALD也是已知的方法。在常...
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