技術(shù)編號：7123230
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料生長及器件制備，特別涉及探索或?qū)崿F(xiàn)P型ZnO材料的摻雜方法，該方法通過多步驟的熱動力學(xué)條件控制以制備高遷移率、高熱穩(wěn)定性的P型氧化鋅材料。背景技術(shù)氧化鋅(ZnO)半導(dǎo)體因其具備寬直接帶隙、大激子束縛能和可濕化學(xué)刻蝕等優(yōu)異特性，在面向新能源的光電轉(zhuǎn)換材料和器件領(lǐng)域如紫外發(fā)光二極管(LED)與激光二極管(LD)、紫外探測器領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。當(dāng)前，制約ZnO基光電子器件發(fā)展的主要問題 在于難以獲得同時具有著高載流子濃度、高熱穩(wěn)定性和高遷...
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