技術編號:7117653
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種金屬-多層絕緣體-金屬結構的電容器制造方法以及由此制成的金屬-多層絕緣體-金屬電容器,此外,本發(fā)明涉及一種采用了由此制成的金屬-多層絕緣體-金屬電容器的集成電路。背景技術電容器是集成電路中的重要組成單元,廣泛運用于存儲器,微波,射頻,智能卡,高壓和濾波等芯片中。在芯片中廣為采用的電容器構造是平行于硅片襯底的金屬-絕緣體-金屬(MIM)。其中金屬是制作工藝易與金屬互連工藝相兼容的銅、鋁等,絕緣體則是氮化硅、...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。