技術(shù)編號(hào)：7114282
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及為了在制造半導(dǎo)體裝置的過程的光刻工序中獲得所期望的形狀的抗蝕劑圖案，而對(duì)在基板與在基板上形成的抗蝕劑膜之間形成抗蝕劑下層膜有用的組合物。另外，本發(fā)明涉及適合使用EUV曝光的光刻工序的、用于形成抗蝕劑下層膜的組合物。背景技術(shù)作為形成EUV曝光用抗蝕劑下層膜的材料，公開了外部氣體發(fā)生被降低的抗蝕劑下層膜形成用組合物(專利文獻(xiàn)I)。此外，雖然不是特定用于EUV曝光的材料，但還公開了包含2官能二縮水甘油基酯化合物與2，4- 二羥基苯甲酸的反應(yīng)生成物的抗蝕...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。