技術(shù)編號：7111834
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明公開內(nèi)容涉及集成電路制造領(lǐng)域中的光刻工藝，更具體而言，是涉及改善用于這種光刻法的光刻膠耐刻蝕性的方法。光刻法是制造用于計算機和其他這類應用的集成電路中一種通常使用的技術(shù)。光刻工藝中，在底材，例如硅片上形成光刻膠層。然后光刻膠用含有打算刻到底材上的具有透明和不透明區(qū)域圖樣的掩模掩蓋。將蓋上掩模的光刻膠層對光化輻射線如紫外光(UV)、X射線、電子束等等曝光，這類射線透過掩模上的透明區(qū)，使相應區(qū)域的光刻膠起化學反應。對于負型光刻膠而言，光刻膠的射線接觸區(qū)會...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。