技術(shù)編號(hào)：7110379
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及紅外焦平面探測(cè)器制造領(lǐng)域，特別涉及紅外焦平面探測(cè)器器件制備工藝，具體是指在器件背減薄工藝中采用的一種限位模具及制備方法。背景技術(shù)紅外焦平面探測(cè)器由芯片(紅外光敏元)、讀出電路和寶石基板倒焊互聯(lián)而成。對(duì)焦平面探測(cè)器進(jìn)行背減薄是為了獲得在偏差范圍內(nèi)與光學(xué)系統(tǒng)相匹配的芯片厚度及光學(xué)表面，降低芯片光敏元受到的內(nèi)應(yīng)力，提高器件的低溫可靠性，同時(shí)還可以提高背照式碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器的背面透過率。因此，焦平面探測(cè)器背減薄工藝是影響器件性能、響應(yīng)率以及可靠性的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。