技術(shù)編號：7110351
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，尤其涉及一種高壓半導體功率器件中的保護環(huán)結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)隨著石油煤炭儲備不停地減少，而人類的能源消耗卻不斷增加，節(jié)能成為二十一世紀人類的共識。據(jù)美國能源部估計，有三分之二的電力被用在馬達驅(qū)動上。而主要應用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用等功率器件，絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)和與之配套的快...
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