技術(shù)編號(hào)：7110225
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及薄膜晶體管陣列，特別是涉及一種無須增加制程步驟可以降低薄膜晶體管的訊號(hào)線阻值的薄膜晶體管陣列制程方法。背景技術(shù)近年來，除了使用傳統(tǒng)硅通道的薄膜晶體管之外，使用氧化物半導(dǎo)體作為通道之薄膜晶體管提供了另一選擇。由于氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管具有低溫多晶硅半導(dǎo)體薄膜晶體管的高載子移動(dòng)率的電氣特性與非晶硅半導(dǎo)體薄膜晶體管的高電性均勻性，故應(yīng)用氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管之主動(dòng)矩陣式平面顯示器已漸漸成為市場(chǎng)上的主流技術(shù)。一般需要至少六道光罩才能完成采用氧化物半導(dǎo)體(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。