技術(shù)編號(hào)：7110048
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。要求國內(nèi)優(yōu)先權(quán)本申請(qǐng)要求于2011年10月17日提交的臨時(shí)申請(qǐng)No. 61/548，120的利益，通過引用將其結(jié)合到本文中。本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及形成具有擴(kuò)展基底(base)的導(dǎo)電柱(pillar)的半導(dǎo)體器件和方法。背景技術(shù)通常在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中見到半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件在電部件的數(shù)目和密度方面不同。分立的半導(dǎo)體器件一般包含一種電部件，例如發(fā)光二極管(LED)、小信號(hào)晶體管、電阻器、電容器、電感器、以及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。