技術(shù)編號：7109360
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制備工藝，確切的說，是涉及到一種簡化存儲器中字線介電質(zhì)膜刻蝕成型的工藝方法。背景技術(shù)如圖I所示，在存儲器中，字線的功能非常重要，一個存儲單元的大致結(jié)構(gòu)如圖所示，字線I將晶體管3的柵極連接起來，通過對存儲單元進(jìn)行選擇性的開啟和關(guān)閉，來控制電容2的充電及放電。再如圖2所示，為存儲器的基本原理圖，通過字線I的高、低電平來控制晶體管2的開關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)了對晶體管開關(guān)的控制。 現(xiàn)有的字線介電質(zhì)膜刻蝕成型工藝如圖3A-3F所示，如圖3A所示，先在介...
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