技術編號：7109309
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種。背景技術III-V族半導體光電材料被譽為第三代半導體材料，而氮化物半導體材料發(fā)光二極管由于可以通過調制材料的組成實現(xiàn)從藍光到紅光的光譜發(fā)射而成為業(yè)界研究的重點。目前，氮化物半導體材料或者器件的外延生長主要采用MOCVD技術，但是由于缺 乏與氮化鎵晶格匹配的襯底材料，主要采用藍寶石作為襯底進行異質外延，然而由于藍寶石與氮化物材料之間較大的晶格失配與熱膨脹系數(shù)的差異，外延層的質量難以保證，另外外延層中也存在較大的應力與熱失配。在...
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