技術(shù)編號：7109105
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)近年來，作為耐壓功率半導(dǎo)體元件，廣泛使用了絕緣柵極雙極型晶體管(IGBT1nsulated Gate Bipolar Transistor)。作為使該IGBT的導(dǎo)通電壓降低的方法之一,可舉出將MOS部的相互電感增大的方法。具體而言，存在將溝道寬度增大、換言之，使發(fā)射層的寬度變寬的方法。但是，如果使發(fā)射層的寬度變寬，則會產(chǎn)生逆向偏壓安全操作區(qū)與短路耐受量的惡化。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施方式提供一種即使在IGBT的導(dǎo)通電壓比較低的...
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