技術(shù)編號(hào):7108296
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文中討論的實(shí)施方案涉及。背景技術(shù)氮化物半導(dǎo)體如GaN、AlN及InN等或者作為這些氮化物半導(dǎo)體的混合晶體的材料具有寬的帶隙并且被用于高功率電子器件、短波長(zhǎng)發(fā)光器件等。其中針對(duì)高功率器件,正在開(kāi)發(fā)關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)或者更具體地關(guān)于高電子遷移率晶體管(HEMT)的技木。這種基于HEMT的氮化物半導(dǎo)體被用于高功率且高效率放大器、大功率開(kāi)關(guān)器件等。例如,作為ー種氮化物半導(dǎo)體的GaN具有3. 4eV的帶隙,其寬于Si的帶隙(1.1eV) 或GaAs的帶隙(...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。