技術(shù)編號：7108293
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，特別是指一種，該晶體管使用低鋁組分的高阻鋁鎵氮作為緩沖層，并且在氮化鎵溝道層兩側(cè)各引入一薄層氮化鋁插入層，高阻鋁鎵氮作為緩沖層能降低溝道電子的緩沖層泄漏，提高器件擊穿電壓，而薄氮化鋁插入層能夠減小電子的合金散射，提高溝道電子遷移率。背景技術(shù)氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，具有優(yōu)良的物理和化學(xué)特性，非常適于研制高頻、高壓、高功率的器件和電路，采用氮化鎵研制的高電子遷移率晶體管，電流密度大，功率密度高，噪聲低，頻率特性好，在軍用和民用...
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