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一種黑硅結構及其制造方法技術資料下載

技術編號:7108185

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本發(fā)明涉及光敏材料,尤其是涉及。背景技術晶體硅由于易提純、易摻雜、耐高溫等優(yōu)點在半導體行業(yè)中具有非常廣泛的應用,但同樣也存在很多缺陷,如晶體硅表面對可見-紅外光的反射很高,而且因為禁帶寬度大,晶體娃不能吸收波長大于IlOOnm的光波,當入射光的波長大于IlOOnm時,娃探測器對光的 吸收率和響應率將大大降低。在探測這些波段時必須使用鍺、砷化鎵銦等其他材料。由于這些材料的價格昂貴、熱力學性能和晶體質(zhì)量較差以及不能與現(xiàn)有的成熟的硅工藝兼容等缺點而限制了其在硅基...
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