技術(shù)編號(hào)：7107880
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種基于硅烷的ニ氧化硅膜形成方法，此外，本發(fā)明還涉及ー種采用了該基于硅烷的ニ氧化硅膜形成方法的半導(dǎo)體器件制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體加工制造技術(shù)的飛速發(fā)展，當(dāng)前超大規(guī)模集成電路特征尺寸從90nm向65nm、45nm乃至32nm以下發(fā)展時(shí)，エ藝過程中產(chǎn)生的小尺寸的缺陷都會(huì)對(duì)產(chǎn)品的可靠性和良率產(chǎn)生重要影響，如何降低小尺寸的缺陷將是ー個(gè)重大挑戰(zhàn)。在目前的半導(dǎo)體制造業(yè)中，主流的ニ氧化娃(Si02)薄膜是應(yīng)用材料(Ap...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。