技術(shù)編號(hào):7107812
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)以往,作為斷開耐壓高的功率器件,作為氮化物系化合物半導(dǎo)體元件,公知的有用于緩和由基板和氮化物系化合物半導(dǎo)體之間的晶格常數(shù)差以及熱膨脹系數(shù)差引起的變形的緩沖層的元件(例如參照專利文獻(xiàn)1-5)。該緩沖層重復(fù)具有包含AlN層和GaN層的復(fù)合層。專利文獻(xiàn)I日本特開2007-88426號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2009-289956號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本專利第4525894號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4日本特開2010-239034號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5日本特表2007...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。