技術(shù)編號(hào)：7107793
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光電探測(cè)器，尤其涉及一種基于異質(zhì)結(jié)構(gòu)吸收、倍増層分離GaN基雪崩光電探測(cè)器。背景技術(shù)III族氮化物屬于第三代半導(dǎo)體，是典型的寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料。GaN基材料(包括其ニ元化合物GaN、InN和A1N，三元化合物InGaN、AlGaN和AlInN以及四元化合物AlInGaN)具有禁帶寬度大，電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、耐高溫、耐腐蝕、抗輻射、導(dǎo)熱性能好等特性，非常適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子、光電子器件。而基于GaN基...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。