技術編號：7107408
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體材料與器件，尤其涉及。背景技術半導體發(fā)光二極管具有壽命長且節(jié)能綠色環(huán)保等優(yōu)點，在日常生活的各個領域都得到了越來越多的應用且引起半導體研究和產(chǎn)業(yè)領域越來越大的重視。氮化鎵(GaN)具有優(yōu)異的物理和化學特性，與氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)等III族氮化物組成三元、四元合金的禁帶寬度可以在O. 7 eV - 6. 2 eV之間連續(xù)調(diào)節(jié)，并且任意組分的InAlGaN四元合金都是直接帶隙，在白光照明、全色顯示、彩色激光打印、高密度光存儲、光探測...
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