技術(shù)編號(hào)：7107075
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件，涉及集成電路芯片的靜電釋放(Electro-static Discharge,簡(jiǎn)稱為ESD)保護(hù)電路,尤指一種具有ESD保護(hù)功能的LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor橫向絕緣柵雙極晶體管)器件結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)靜電放電現(xiàn)象是半導(dǎo)體器件或集成電路在制造、封裝、測(cè)試、存放、使用等過程中的一種常見現(xiàn)象，往往會(huì)造成半導(dǎo)體器件或集成電路的永久性損壞，并因此造成嚴(yán)重的損失。為了解決這個(gè)問題...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。