技術(shù)編號(hào)：7107038
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種基板處理裝置和成膜裝置。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝中的成膜方法，公知有如下工藝在真空氣氛下使第I反應(yīng)氣體吸附在作為基板的半導(dǎo)體晶圓(以下，稱作“晶圓”)等的表面上之后，將所供給的氣體切換為第2反應(yīng)氣體，通過兩氣體反應(yīng)而形成I層或多層的原子層、分子層，多次進(jìn)行該循環(huán)，從而對(duì)上述層進(jìn)行層疊，在基板上進(jìn)行成膜。該工藝被稱作例如原子層沉積(ALD Atomic Layer Deposition)、分子層沉積(MLD Molecular Layer D...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。