技術(shù)編號(hào)：7107036
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種成像器件、成像裝置、制造裝置和制造方法，具體地，本公開涉及一種能夠更容易地獲得更多種類型的圖像的成像器件、成像裝置、制造裝置和制造方法。背景技術(shù)由于紅外光對(duì)于硅(Si)具有較長的穿透長度，因此當(dāng)形成使用近紅外光的高敏感度傳感器時(shí)，需要延長硅中的光路長度。由于在距硅表面(光入射在硅表面上)更深的位置中發(fā)生光電轉(zhuǎn)換，因此還需要形成用于存儲(chǔ)通過光電轉(zhuǎn)換獲得的電子的勢(potential)從而達(dá)到更深的位置。由于需要利用特高能量進(jìn)行離子注入來在深位置...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。