技術(shù)編號(hào)：7106055
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)在MOSFET中有個(gè)寄生的NPN三極管，如圖I所示，基極與發(fā)射極間的電阻等效為Rbb,當(dāng)功率MOSFET在感性負(fù)載回路中，MOSFET由開啟狀態(tài)到瞬間關(guān)斷時(shí)，電感將儲(chǔ)存的電量釋放給M0SFET，基區(qū)有電流流過，基極與發(fā)射極間的PN結(jié)壓降Vbi=I*Rbb。當(dāng)Vbi>0. 7v時(shí)，寄生三極管就會(huì)導(dǎo)通，器件會(huì)失效。防止此類失效的方法之一是降低基區(qū)電阻Rbb。減小Rbb可以通過增加基區(qū)P型雜質(zhì)的濃度來實(shí)現(xiàn)，但這通常會(huì)對(duì)器件的電學(xué)性能造成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。