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半導體器件的制造方法技術資料下載

技術編號:7106036

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本發(fā)明涉及集成電路制造領域,特別涉及一種。背景技術隨著工藝節(jié)點縮至45納米及其以下,為滿足器件尺寸縮小而引發(fā)的新要求,金屬柵極被廣泛應用。目前,金屬柵極形成方法包括如下步驟首先,在襯底上形成柵介質層;接著,在所述柵介質層上形成圖形化的非晶碳層;接著,形成環(huán)繞所述圖形化的非晶碳層的側墻;接著,形成覆蓋所述圖形化的非晶碳層及側墻的層間介質層;接著,平坦化所述層間介質層并暴露所述圖形化的非晶碳層;接著,采用氧氣灰化工藝去除所述圖形化的非晶碳層,在所述層間介質層內...
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