技術編號:7106036
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路制造領域,特別涉及一種。背景技術隨著工藝節(jié)點縮至45納米及其以下,為滿足器件尺寸縮小而引發(fā)的新要求,金屬柵極被廣泛應用。目前,金屬柵極形成方法包括如下步驟首先,在襯底上形成柵介質層;接著,在所述柵介質層上形成圖形化的非晶碳層;接著,形成環(huán)繞所述圖形化的非晶碳層的側墻;接著,形成覆蓋所述圖形化的非晶碳層及側墻的層間介質層;接著,平坦化所述層間介質層并暴露所述圖形化的非晶碳層;接著,采用氧氣灰化工藝去除所述圖形化的非晶碳層,在所述層間介質層內...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。