技術(shù)編號：7106024
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽能電池制備，具體而言，涉及一種。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，晶硅電池的生產(chǎn)主要流程通常為制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、減反射膜的沉積、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)，如圖I所示。在常規(guī)晶體硅生產(chǎn)流程中，硅片直接進(jìn)行酸腐蝕制絨以形成絨面效果，從而起到減反射的作用。然后進(jìn)行擴(kuò)散形成一定擴(kuò)散深度的PN結(jié)，接著進(jìn)行濕法刻蝕處理去除硅片四周的擴(kuò)散層和表面的絕緣層避免PN結(jié)導(dǎo)通形成漏電。隨后，利用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposi...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。