技術(shù)編號：7105885
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)，具體涉及ー種鍺錫隧穿場效應(yīng)晶體管及其制備方法。背景技術(shù)隨著器件尺寸不斷縮小，半導(dǎo)體器件面臨諸多問題，如短溝道效應(yīng)嚴(yán)重、泄漏電流大等。針對這些問題，領(lǐng)域內(nèi)提出各種解決方案。其中的隧穿場效應(yīng)晶體管已經(jīng)得到廣泛關(guān)注，它是ー種新型的低功耗器件，其亞閾泄漏小，亞閾斜率可突破kT/q，可抗短溝道效應(yīng)。然而，硅隧穿場效應(yīng)晶體管的開態(tài)電流小，使其應(yīng)用的電路性能不足，因此應(yīng)用受到了限制。為了提升隧穿場效應(yīng)晶體管的性能，人們提出了很多方案，如采用窄禁...
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