技術(shù)編號(hào)：7104966
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)目前，常用AIGaInP (鋁鎵銦磷)系發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)為在N型GaAs襯底基礎(chǔ)上依次生長有N型GaAs (砷化鎵)緩沖層、布拉格反射層、N型下限制層、有源層、P型上限制層和P型電流擴(kuò)展層。單一 P型電流擴(kuò)展層的結(jié)構(gòu)，其上表面是平面狀，因此，當(dāng)位于中間夾層的有源層發(fā)光時(shí)，除一部分光線出射于LED器件的外部，由于半導(dǎo)體材料相對(duì)于外部空氣而言為高折射率材料，當(dāng)光線的出射角度大于一定臨界角時(shí)，另有大部分光線會(huì)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。