技術(shù)編號：7104261
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及。背景技術(shù)根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖(ITRS2009)的規(guī)劃，集成電路已經(jīng)逐步從微電子時代發(fā)展到了微納米電子時代，現(xiàn)有的體硅材料和工藝正接近它們的物理極限，遇到了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。SOI已成為深亞微米的低壓、低功耗集成電路的主流技術(shù)。SOI(Silicon-On-Insulator,絕緣襯底上的娃)技術(shù)是在頂層娃和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點可以實現(xiàn) 集成電路中...
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