技術(shù)編號(hào):7104045
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施方案涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件。背景技術(shù)III-V族氮化物半導(dǎo)體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于光學(xué)器件例如藍(lán)色和綠色發(fā)光二極管(LED)、高速開(kāi)關(guān)器件如MOSFET(金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和HEMT(異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管)以及照明器件或顯示器件的光源。 氮化物半導(dǎo)體主要用于LED或LD (激光二極管),已經(jīng)對(duì)于改善氮化物半導(dǎo)體的制造工藝或光效率持續(xù)進(jìn)行了研究。發(fā)明內(nèi)容實(shí)施方案提供一種能夠增加半導(dǎo)體層和另一層之間的粘附力的半導(dǎo)體發(fā)光器件。實(shí)施方案提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件,其...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。