技術(shù)編號：7103415
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，特別涉及一種。背景技術(shù)隨著集成電路向亞微米尺寸發(fā)展，器件的密集程度和工藝的復(fù)雜程度不斷增加，對工藝過程的嚴(yán)格控制變得更為重要。其中，凹槽用于填充金屬以形成金屬互連結(jié)構(gòu)，作為有源區(qū)與有源區(qū)之間，有源區(qū)與外界電路之間的連接的通道，由于其在器件結(jié)構(gòu)組成中具有的重要作用，使得凹槽的形成工藝歷來為本領(lǐng)域技術(shù)人員所重視。 圖廣圖3為現(xiàn)有凹槽形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層101，所述介質(zhì)層10...
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